科睿 x 苏州 | 凌存科技企业展厅

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突破算力时代系统瓶颈,重塑信号完整性。

面对算力爆发与通信速率跃迁,电源与信号完整性成为制约系统性能的关键。凌存科技依托前沿8/12英寸标准CMOS工艺,推出高性能硅电容器。


凌存科技展厅芯片结构爆炸图,标注金属端电极、介电层与硅基板TSV互连,右侧为四项优势

通过单片集成MIM架构与三维结构设计,在单位面积内实现超高电容密度。以出色的电气性能与参数一致性,为高性能计算系统提供坚实硬件支撑。